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Title: Nueva topología para el modelado de transistores de microondas MESFET/GaAS considerando efectos de dispersión y memoria
Advisor(s): Rafael Valdivia, Guillermo
OCDE field: http://purl.org/pe-repo/ocde/ford#2.02.05
Issue Date: 2016
Institution: Universidad Católica San Pablo
Abstract: En este trabajo, se presenta una nueva técnica para el modelado de transistores de alta frecuencia con tecnología como GaAs(Arseniuro de Galio). La técnica puede predecir uno de los fenómenos más críticos en materia de telecomunicaciones , llamado efecto de dispersión frecuencial, fenómeno relacionado con el efecto memoria. Los resultados de las medición es revelan la exactitud de esta técnica, bajo condiciones de pequeña y gran señal. La técnica propuesta puede ser utilizada en otros modelos para mejorar la capacidad de predecir dichos fenómenos, utilizando solo una fuente de corriente en un nuevo circuito equivalente a gran señal.
Discipline: Ingeniería Electrónica y de Telecomunicaciones
Grade or title grantor: Universidad Católica San Pablo. Facultad de Ingeniería y Computación
Grade or title: Ingeniero Electrónico y de Telecomunicaciones
Register date: 29-Dec-2016; 29-Dec-2016



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