Nueva topología para el modelado de transistores de microondas MESFET/GaAS considerando efectos de dispersión y memoria

Abstract

En este trabajo, se presenta una nueva técnica para el modelado de transistores de alta frecuencia con tecnología como GaAs(Arseniuro de Galio). La técnica puede predecir uno de los fenómenos más críticos en materia de telecomunicaciones , llamado efecto de dispersión frecuencial, fenómeno relacionado con el efecto memoria. Los resultados de las medición es revelan la exactitud de esta técnica, bajo condiciones de pequeña y gran señal. La técnica propuesta puede ser utilizada en otros modelos para mejorar la capacidad de predecir dichos fenómenos, utilizando solo una fuente de corriente en un nuevo circuito equivalente a gran señal.