Nueva topología para el modelado de transistores de microondas MESFET/GaAS considerando efectos de dispersión y memoria

Mendoza Gamero, Thalía

Título: Nueva topología para el modelado de transistores de microondas MESFET/GaAS considerando efectos de dispersión y memoria

Autor(es): Mendoza Gamero, Thalía

Asesor(es): Rafael Valdivia, Guillermo

Palabras clave: Transistores MESFET; Redes neuronales artificiales; Corrientes continuas; Transistores de potencia; Transistores de efecto de campo; Telecomunicaciones; Amplificadores de transistores

Campo OCDE: http://purl.org/pe-repo/ocde/ford#2.02.05

Fecha de publicación: 2016

Institución: Universidad Católica San Pablo

Resumen: En este trabajo, se presenta una nueva técnica para el modelado de transistores de alta frecuencia con tecnología como GaAs(Arseniuro de Galio). La técnica puede predecir uno de los fenómenos más críticos en materia de telecomunicaciones , llamado efecto de dispersión frecuencial, fenómeno relacionado con el efecto memoria. Los resultados de las medición es revelan la exactitud de esta técnica, bajo condiciones de pequeña y gran señal. La técnica propuesta puede ser utilizada en otros modelos para mejorar la capacidad de predecir dichos fenómenos, utilizando solo una fuente de corriente en un nuevo circuito equivalente a gran señal.

Enlace al repositorio: https://hdl.handle.net/20.500.12590/14909

Disciplina académico-profesional: Ingeniería Electrónica y de Telecomunicaciones

Institución que otorga el grado o título: Universidad Católica San Pablo. Facultad de Ingeniería y Computación

Grado o título: Ingeniero Electrónico y de Telecomunicaciones

Fecha de registro: 29-dic-2016

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