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Aslla, A., (2014). Magnetoresistencia del grafeno [Tesis, Universidad Nacional Mayor de San Marcos]. https://hdl.handle.net/20.500.12672/3746
Aslla, A., Magnetoresistencia del grafeno [Tesis]. PE: Universidad Nacional Mayor de San Marcos; 2014. https://hdl.handle.net/20.500.12672/3746
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Título: Magnetoresistencia del grafeno
Autor(es): Aslla Quispe, Abrahan Pablo
Asesor(es): Rivera Riofano, Pablo Héctor
Palabras clave: Grafeno - Propiedades eléctricas
Campo OCDE: https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.03.00
Fecha de publicación: 2014
Institución: Universidad Nacional Mayor de San Marcos
Resumen: En el presente trabajo se exponen las herramientas utilizadas en en estudio de la estructura de bandas del grafeno y nanoribbons de grafeno con condiciones de borde zigzag (ZGNR), armchair (AGNR) y barbados (bearded) dentro del modelo del enlace fuerte (tight-binding). El transporte electrónico en nanodispositivos de grafeno se describe dentro del formalismo de Landauer y Landauer-Büttiker, dentro de las cuales usamos como herramienta principal las funciones de Green. Consideramos que cada nanodispositivo se encuentra formado por el nanodispositivo conectado a contactos semi-infinitos ideales, reduciendo en estos casos el efecto de los contactos mediante el uso de las autoenergías que se calculan usando las funciones de Green de los contactos. Los contactos de los nanodispositivos se consideran formados por cadenas verticales, donde cada cadena interactúa con las cadenas paralelas y vecinas, esta propiedad permite utilizar el método recursivo de convergencia rápida para el cálculo de las funciones de Green de los contactos y el método de Decimación para el cálculo de la función de Green de los nanodispositivos. Evaluamos la estructura de bandas y la conductancia eléctrica de los nanoribbons de borde zigzag, borde armchair y borde bearded, encontrando que los nanoribbons ZGNR tienen comportamiento conductor, los nanoribbons AGNR tienen comportamiento semimetálico si M = (N + 1)=3 (con N número de dímeros por cadena unidad) es un número entero y en caso contrario los nanoribbons AGNR tienen comportamiento semiconductor donde el gap de energía prohibida E tiene relación inversa con el ancho del nanoribbons. Los nanoribbons de borde bearded tienen comportamiento conductor al igual que los nanoribbons ZGNR, en cambio los nanoribbons de borde mixto zigzag y bearded tienen comportamiento semiconductor, donde el gap de energía prohibida disminuye a medida que aumenta el ancho del nanoribbons. Analizamos también el transporte electrónico en nanoporos rectangulares en redes cuadradas y en redes de grafeno, calculando asi mismo el efecto sobre el transporte electrónico originadas por moléculas de diferentes configuraciones ubicadas en el centro de los nanoporos, los resultados muestran que las moléculas producen la presencia de resonancias y antiresonancias en diferentes valores de energía que son caracteristicos para cada tipo de molécula en el espectro de coeficientes de transmisión, estas resonancias y antiresonancias son evaluadas en términos de variación del coeficiente de transmisión.
Enlace al repositorio: https://hdl.handle.net/20.500.12672/3746
Disciplina académico-profesional: Ciencias Físicas con mención en Física del Estado Sólido
Institución que otorga el grado o título: Universidad Nacional Mayor de San Marcos. Facultad de Ciencias Físicas. Unidad de Posgrado
Grado o título: Magíster en Ciencias Físicas con mención en Física del Estado Sólido
Fecha de registro: 28-ene-2015
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