Preparación electroquímica de semiconductores ternarios CuInS₂ y CuGaSe₂

Abstract

Se propuso la optimización de parámetros y condiciones de preparación que nos permitieran sintetizar películas delgadas de CuInS₂ y CuGaSe₂ mediante la reducción simultánea de sus elementos precursores. Para ello, se estudió el comportamiento electroquímico de los sistemas Cu- In-S y Cu-Ga-Se y la influencia de sus variables (concentración de las sales precursoras, agente complejante, potencial de deposición, tiempo de deposición) sobre las características del depósito (composición de la película, morfología) y sus propiedades físicas. Las películas delgadas de CuInS₂ fueron sintetizadas aplicando un pulso de potencial de -1,145V vs SCE, durante 2 horas usando una solución que contenía: 5,0 mM de CuSO₄, 5,0 mM de InCl₃ y 7,5 mM Na₂S₂O₃ en 0,5 M Na₂SO₄ regulado a pH 2,5. En el caso de CuGaSe₂, En presencia de iones tiocianato, al aplicar un potencial de -0,55 V vs SCE durante 20 minutos y usando una solución que contenía: 4,6 mM de CuCl, 25,0 mM de GaCl₃ y 9,2 mM de SeO₂ disueltos en 2,0 M de KSCN a pH 2,5 y se logró obtener películas delgadas de CuGaSe₂ con la estequiometría deseada.