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Prieto, A., (2024). Característica Intensidad-Voltaje en el contacto metal – semiconductor superconductor [Universidad Nacional de Trujillo]. https://hdl.handle.net/20.500.14414/21244
Prieto, A., Característica Intensidad-Voltaje en el contacto metal – semiconductor superconductor []. PE: Universidad Nacional de Trujillo; 2024. https://hdl.handle.net/20.500.14414/21244
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Título: Característica Intensidad-Voltaje en el contacto metal – semiconductor superconductor
Autor(es): Prieto Murcia, Antolín
Asesor(es): Roldán López, José Angel
Palabras clave: Contacto metal – semiconductor; El estado superconductor; Barrera de potencial; Densidad de estados; Brecha de energía superconductora
Campo OCDE: https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.03.03
Fecha de publicación: 2024
Institución: Universidad Nacional de Trujillo
Resumen: En el presente trabajo, se ha realizado un estudio del comportamiento Voltaje – Corriente de las uniones metal – semiconductor en el estado superconductor. Se obtuvo la densidad de corriente total, J, en el punto de contacto Metal semiconductor superconductor, teniendo en cuenta la cantidad de electrones que atraviesa la barrera de potencial que se encuentra dentro de ciertos intervalos de energía.
Los cálculos se hicieron en el contexto de la aproximación de la teoría de Schockley. Se utilizó la estadística de Fermi-Dirac a muy bajas temperaturas para la distribución y transporte de electrones y huecos a través de la unión metal – semiconductor. Para el cálculo de la densidad de portadores de carga (electrones y huecos), además de la ley de distribución de Fermi-Dirac, se aplicó la densidad de estados de los electrones y huecos. En el estado superconductor la densidad de estados incluye una brecha de energía superconductora de la teoría BCS de la superconductividad.
Se relacionan Intensidad – Voltaje para el contacto metal – semiconductor superconductor considerando la corriente de emisión termoelectrónica. Se demostró que la transición del semiconductor al estado superconductor, conduce a la disminución de la corriente a través del contacto en el intervalo de Tensión, que se determina con la altura de la barrera de potencial y el parámetro de la brecha energética del superconductor.
In the present work, a study of the Voltage - Current behavior of the metal - semiconductor junctions in the superconductive state has been carried out. The total current density J was obtained at the contact point Metal semiconductor superconductor, taking into account the number of electrons that cross the potential barrier that is within certain energy ranges. The calculations were made in the context of the approximation of the Schockley theory. Fermi-Dirac statistics were used at very low temperatures for the distribution and transport of electrons and holes through the metal - semiconductor junction. To calculate the density of charge carriers (electrons and holes), in addition to the Fermi-Dirac distribution law, the density of states of electrons and holes was applied. In the superconducting state the density of states includes a superconducting energy gap of the BCS theory of superconductivity. Intensity - Voltage for the metal - semiconductor superconductor contact is related considering the thermoelectronic emission current. It was shown that the transition from the semiconductor to the superconducting state, leads to the decrease of the current through the contact in the Voltage range, which is determined with the height of the potential barrier and the energy gap parameter of the superconductor
In the present work, a study of the Voltage - Current behavior of the metal - semiconductor junctions in the superconductive state has been carried out. The total current density J was obtained at the contact point Metal semiconductor superconductor, taking into account the number of electrons that cross the potential barrier that is within certain energy ranges. The calculations were made in the context of the approximation of the Schockley theory. Fermi-Dirac statistics were used at very low temperatures for the distribution and transport of electrons and holes through the metal - semiconductor junction. To calculate the density of charge carriers (electrons and holes), in addition to the Fermi-Dirac distribution law, the density of states of electrons and holes was applied. In the superconducting state the density of states includes a superconducting energy gap of the BCS theory of superconductivity. Intensity - Voltage for the metal - semiconductor superconductor contact is related considering the thermoelectronic emission current. It was shown that the transition from the semiconductor to the superconducting state, leads to the decrease of the current through the contact in the Voltage range, which is determined with the height of the potential barrier and the energy gap parameter of the superconductor
Enlace al repositorio: https://hdl.handle.net/20.500.14414/21244
Disciplina académico-profesional: Maestría en Ciencias Físicas
Institución que otorga el grado o título: Universidad Nacional de Trujillo. Escuela de Posgrado
Grado o título: Maestro en Ciencias Físicas
Jurado: Aguilar Marin, Pablo; Idrogo Córdova, Julio César; Roldán López, José Ángel
Fecha de registro: 30-abr-2024
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