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Márquez, Olga
Martínez, Yris
López Rivera, Santos Adán
Márquez, Jairo
Manfredy Marquina, Luigi
2022-05-12T15:25:26Z
2022-05-12T15:25:26Z
2014-11
https://renati.sunedu.gob.pe/handle/sunedu/3133675
Se propuso la optimización de parámetros y condiciones de preparación que nos permitieran sintetizar películas delgadas de CuInS₂ y CuGaSe₂ mediante la reducción simultánea de sus elementos precursores. Para ello, se estudió el comportamiento electroquímico de los sistemas Cu- In-S y Cu-Ga-Se y la influencia de sus variables (concentración de las sales precursoras, agente complejante, potencial de deposición, tiempo de deposición) sobre las características del depósito (composición de la película, morfología) y sus propiedades físicas. Las películas delgadas de CuInS₂ fueron sintetizadas aplicando un pulso de potencial de -1,145V vs SCE, durante 2 horas usando una solución que contenía: 5,0 mM de CuSO₄, 5,0 mM de InCl₃ y 7,5 mM Na₂S₂O₃ en 0,5 M Na₂SO₄ regulado a pH 2,5. En el caso de CuGaSe₂, En presencia de iones tiocianato, al aplicar un potencial de -0,55 V vs SCE durante 20 minutos y usando una solución que contenía: 4,6 mM de CuCl, 25,0 mM de GaCl₃ y 9,2 mM de SeO₂ disueltos en 2,0 M de KSCN a pH 2,5 y se logró obtener películas delgadas de CuGaSe₂ con la estequiometría deseada. (es_PE)
Venezuela. Ministerio de Ciencia y Tecnología. Misión Ciencias (es_PE)
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Universidad de Los Andes (es_PE)
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Semiconductores (es_PE)
Películas delgadas (es_PE)
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Preparación electroquímica de semiconductores ternarios CuInS₂ y CuGaSe₂ (es_PE)
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Universidad de Los Andes. Facultad de Ciencias (es_PE)
Electroquímica Fundamental y Aplicada (es_PE)
Doctor en Electroquímica Fundamental y Aplicada (es_PE)
VE (es_PE)
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https://orcid.org/0000-0001-6230-1456 (es_PE)
https://orcid.org/0000-0003-4479-0318 (es_PE)
https://orcid.org/0000-0003-1170-8701 (es_PE)
https://orcid.org/0000-0003-0336-9236 (es_PE)
005450714
Márquez, Olga
Porras, Carlos
Grima, Pedro
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