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Weingärtner, Roland (es_ES)
Sánchez, Esteban A. (es_ES)
Serkovic Loli, Laura Natalia (es_ES)
2011-06-14T14:24:24Z (es_ES)
2011-06-14T14:24:24Z
2011-06-14T14:24:24Z (es_ES)
2011-06-14T14:24:24Z
2009 (es_ES)
2011-06-14 (es_ES)
http://hdl.handle.net/20.500.12404/587
El objetivo de este trabajo es estudiar la superficie de silicio orientada en la dirección (111) y preparada en la reconstrucción 7x7 en condiciones de ultra alto vacío (a una presión del orden de 10-10Torr). La idea es estudiar la estructura atómica de la superficie plana del Si (111) 77, así como la estructura de sus escalones. También estudiaremos mediante el microscopio de efecto túnel la diferencia entre los estados electrónicos ocupados y desocupados en las imágenes obtenidas variando el potencial aplicado por el microscopio entre la punta y la muestra. Adicionalmente se discutirá el tema de la aparición de defectos en la superficie de silicio con el paso del tiempo. Y para complementar el estudio, analizaremos la aparición de islas sobre la superficie que son presumiblemente SiC debido a la disociación por efecto de temperatura de moléculas orgánicas de EthylPropyl-PeryleneTetraCarboxDiImide depositadas en la superficie. (es_ES)
spa (es_ES)
Pontificia Universidad Católica del Perú (es_ES)
info:eu-repo/semantics/openAccess (es_ES)
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/pe/ (*)
Superficies (Física) (es_ES)
Microscopios (es_ES)
Semiconductores (es_ES)
Física (es_ES)
Estudio de la superficie de Si (111) 7×7 mediante microscopía de efecto túnel (es_ES)
info:eu-repo/semantics/bachelorThesis (es_ES)
Pontificia Universidad Católica del Perú. Facultad de Ciencias e Ingeniería (es_ES)
Física (es_ES)
Título Profesional (es_ES)
Licenciado en Física (es_ES)
PE (es_ES)
https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.03.00 (es_ES)
https://purl.org/pe-repo/renati/level#tituloProfesional (es_ES)
533056 (es_ES)
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Privada asociativa



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