Estudio de los efectos del fluor en las propiedades estructurales y electricas del SnO2

Abstract

Se obtuvieron películas delgadas de Dióxido de Estaño dopado con diferentes concentraciones de Flúor (Sn02:F) por el método de rociado pirolítico sobre subsfratos de vidrio a una temperatura de 350°C. Los diferentes porcentajes de F en las películas delgadas fueron obtenidos variando el porcentaje en peso de F en la solución inicial, para estudiar el efecto del dopaje de F en las características estructurales y eléctricas. Las películas delgadas de Sn02:F fueron caracterizadas estructuralmente por espectroscopia Mossbauer de electrones de conversión (CEMS) y difracción de rayos X, la morfología fue observada por microscopía de fuerza atómica (AFM), la caracterización eléctrica se hizo midiendo la resistividad, la movilidad y el número de portadores usando el efecto Hall y para medir el espesor de las mismas se usó espectroscopia visible. Los resultados de CEMS y difracción de rayos X indican únicamente la presencia de la fase policristalina del Sn02, de donde podemos establecer que el átomo dopante de flúor actúa únicamente como impureza substitucional y/o intersticial. De la difracción de rayos X se pudo observar cambios en la dirección de crecimiento preferencial de (101) a (211) y (200) con el incremento del porcentaje del dopaje de F. Los resultados obtenidos por difracción de rayos X, muestran que el tamaño de ^ano de las películas delgadas disminuyen con el incremento de dopaje. Las mediciones de resistividad, movilidad y número de portadores muestran que posiblemente el F ingresa a la red como impureza substitucional para dopajes menores al 20% aproximadamente y luego a posiciones intersticiales para mayores dopajes. Las micrografías obtenidas por microscopía de fuerza atómica, muestran que la rugosidad en la superficie disminuye con el incremento de dopaje. Las mediciones realizadas por espectroscopia visible, muestran que el espesor de las películas disminuye con el incremento de dopaje.