Estudio mediante microscopia de fuerza atómica conductivo de capas delgadas de GaSb dopado con vanadio

Abstract

Estudia la distribución no homogénea de dopante formando microprecipitados en la muestra, así como también se investigó las propiedades electrónicas en regiones libres y en esta distribución no homogénea de dopante, utilizando para ello el Microscopio de Fuerza Atómica (AFM) en modo conductivo. Uno de los objetivos fundamentales de este trabajo es determinar los microprecipitados a partir de sus propiedades electrónicas, para ello se obtiene, en primer término, las curvas corrientes vs voltaje (I vs V), a partir de las cuales se determina el comportamiento electrónico tanto de los microprecipitados como de la matriz. Con los resultados obtenidos, se determina a través de la imagen de corriente, si los cambios que se observan en determinadas regiones son debidos a la distribución homogénea de dopante o a microprecipitados.